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数字化深能级瞬态谱仪DLTS

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半导体技术的一个重要目标是减少构成所有半导体器件中,晶体、多晶和非晶层中固有的和由工艺引起的缺陷。杂质、晶界、晶面等引起的缺陷导致陷阱的产生,陷阱可以俘获自由电子和空穴。即使浓度非常低,陷阱也能极大地改变设备的性能。深能级瞬态光谱(DLTS)是现在一种非常通用的技术,用于测定与陷阱相关的几乎所有参数,包括密度、热界面(热发射率)、能级和空间剖面。

主要特点

●快速而灵敏地检测半导体中的电活性缺陷

●高灵敏度:体陷阱检测限< 109 atoms/cm3

●具有低至3微秒的快速响应时间

●具有对过载的快速恢复能力以及对泄露电流的高免疫能力

●快速温度扫描能力:每8分钟100K且不影响灵敏度

●高达60dB的背景电容抑制能力度 

●数字采集包括:16位分辨率,1毫秒的采样增量,50倍的时间跨度,和不限平均点数的平均瞬态

●单次温度扫描可同时记录不同发射率窗下的8幅谱图

 

主要应用

  ●PN结                 ●肖特基二极管

  ●MOS管             ●LED

  ●场效应管           ●半导体激光器

  ●高电阻率半绝缘材料    

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